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联系人：朱先生

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制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:2.6 ARds On-漏源导通电阻:170 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:14.3 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:2.3 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:Reel晶体管类型:1 P-Channel 商标:ON Semiconductor 正向跨导 - 值:1.77 S 下降时间:38 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7.6 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:65 ns 典型接通延迟时间:11 ns 单位重量:250 mg

随着牌照的下发，将会开启5G从试验向试商用阶段的迈进。试商用阶段将更加侧重于应用端，更多的企业将能够参与到5G应用开发之中，闸门的打开也将极大激发产业界实质性参与和投入的积极性。

据台湾《旺报》7月24日报道，大陆工信部信息通信发展司司长闻库表示，大陆5G网络和终端均已步入成熟阶段，目前已有近20款5G手机可上市。

闻库表示，大陆目前大概有近20款5G手机基本上可以用了，到年底将会更多。

中兴通讯拔得头筹推出首款5G手机，7月23日已在电商平台展开预售。市场人士预估，大陆5G换机潮将在明年引爆，并带动射频、光学、面板等相关行业迎接新机遇。

报道介绍，中兴通讯率先推出网络预售的首款5G手机，售价为人民币4999元。华为也宣布，其取得的中国首张5G终端进网许可证的5G双模手机华为Mate20X（5G）将于7月26日正式发布，8月上市。除此之外，OPPO、vivo、黑鲨等均已将5G手机发布提上日程。

5G竞速赛进入冲刺阶段，各企业争相卡位。“或许明年就拿着5G手机在这儿发新闻了。”闻库说。

另据台湾《联合报》7月24日报道称，这意味着大陆5G智能型手机正式开始商用，5G手机新品也将在下半年“扎堆面世”，象征大陆5G建设正式进入民用商用化阶段，而消费电子产业的新一轮成长期也将随之拉开序幕。

报道称，目前业内普遍预计，大陆5G换机高峰期将出现在2020年至2023年，手机出货量将因此出现恢复性增长，从而带动整个产业链的发展。