BSC082N10LS G_深圳市斌腾达科技有限公司

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BSC082N10LS G

型号/规格：

BSC082N10LS G

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

SON-8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

超大功率

年份：

18+

数量：

56592

备注：

全新原装大量库存现货

询价

产品信息

亚太地区XILINX AD FREESCALR INTEL分销商欢迎来电咨询！！

亚太地区代理分销商AD、XILINX、ALTERA、INTEL等世界各IC。本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！

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联系人：朱先生

Q Q：2099320098

BSC082N10LS G MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 全新原装全系列优势MOSFET管公司大量原装现货欢迎来电咨询！！英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。特征描述优异的开关性能世界较低的 (R Ds(on))极低的 Qg 和 Qgd出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）符合 RoHS 标准 - 无卤素MSL1 评级 2优势环保提高效率极高的功率密度减少并联极低的板空间消耗产品易于设计潜在应用AC-DC SMPS的同步整流48V-80V 系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）隔离式 DC-DC 转换器（电讯和数据通信系统）48V系统的开关和断路器D 类音频放大器不间断电源 (UPS)ParametricsBSC082N10LS G Budgetary Price €€/1k 0.93 Ciss 5600.0 pF Coss 710.0 pF ID max 100.0 A IDpulsmax 400.0 A Operating Temperature minmax -55.0 °C 150.0 °C Ptotmax 156.0 W Package SuperSO8 Polarity N QG (typ @10V) 78.0 nC RDS (on) (@4.5V LL) max 11.0 mΩ RDS (on) (@4.5V) max 11.0 mΩ RDS (on) (@10V) max 8.2 mΩ Rth 0.8 K/W RthJCmax 0.8 K/W VDSmax 100.0 V VGS(th) (typ) minmax 1.85 V 1.2 V 2.4 V

MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TDSON-8通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:13.8 ARds On-漏源导通电阻:8.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:156 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:OptiMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.27 mm 长度:5.9 mm 系列:OptiMOS 2 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:12 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:24 ns 工厂包装数量:5000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:53 ns 典型接通延迟时间:19 ns

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集成电路(IC)(181)

电源IC(5)

半导体存储器(2)

二极管(51)

场效应管MOSFET(80)

可控硅IGBT(2)

单片机(28)

电容器(37)

电阻器(1)

传感器(17)

其他未分类(6)

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