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制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:54 ARds On-漏源导通电阻:10 mOhms资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:NTD4810N 商标:ON Semiconductor 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 单位重量:4 g

近日，国家工信部副部长王志军在接受媒体采访时谈及中国芯片产业发展时表示，我国集成电路产业自2012年以来，以年均20%以上的速度快速增长，2018年全行业销售额6532亿元，技术水平也不断提高。

当前，我国芯片设计水平提升3代以上，海思麒麟980手机芯片采用了的7纳米工艺；制造工艺提升了1.5代，32/28纳米工艺实现规模量产，16/14纳米工艺进入客户导入阶段；存储芯片进行了初步布局，64层3D NAND闪存芯片预计今年下半年量产；先进封装测试规模在封测业中占比达到约30%；刻蚀机等高端装备和靶材等关键材料取得突破。

芯片设计方面，由于华为所拥有的强大影响力，华为海思为人熟知，其实除了华为海思之外，国产芯片设计企业当中还有紫光展锐、君正、瑞芯微、龙芯、飞腾、申威等的芯片设计企业，它们分别在手机芯片、穿戴设备芯片、平板芯片、服务器芯片等行业占有一席之地，其中华为海思、紫光展锐是前六大手机芯片设计企业。

备受关注的存储芯片方面，中国也已取得突破，长江存储在去年投产32层NAND flash，不过由于该技术与国外存储芯片企业普遍投产的64层存在差距，长江存储并未大规模投产。今年长江存储已研发成功64层NAND flash，预计在明年将实现大规模投产，这对于中国来说是一个可喜的进步。

在芯片制造方面，中芯国际当前正努力推进14nmFinFET工艺的投产，如果该工艺成功投产，中芯国际可望在芯片制造方面方面居于第二阵营，与联电、格罗方德等芯片制造企业的水平看齐；另外上海华宏半导体也已投产28nm工艺。在芯片制造方面，中国正在努力追赶居于地位的台积电和三星，后两者如今已投产7nm工艺。

芯片封测方面，其实中国已取得较大的成绩，长电科技已是第三大封测企业，此外华天科技和通富微电两家企业分列第 6、7位，中国大陆和中国台湾在芯片封测方面已形成近乎平分天下的格局，只不过这个行业主要针对企业市场，大众并不熟知。

可以说，中国从芯片设计、芯片制造到后期封装方面都已逐渐形成一条较为完整的产业链，具备一定与中国大陆以外的企业进行竞争的实力。

在芯片设计方面，中国所取得的成绩较为突出。华为手机有半数手机芯片由自家的华为海思供应，紫光展锐是三大独立手机芯片企业之一并在印度、非洲等市场占据优势的市场份额，随着时间的推移它们将有望在手机芯片市场赢得更多的市场份额。

在服务器芯片市场，Intel近乎垄断该市场，其X86架构的服务器芯片占有该市场约97%的市场份额，本来ARM架构服务器芯片成为有希望挑战Intel垄断地位的，不过在中国以外的市场ARM架构服务器芯片已近乎全军覆没。目前来看，ARM架构服务器芯片能否在服务器芯片市场打开局面，主要还是看中国芯片企业。

飞腾发布的ARM架构服务器芯片已进入国家采购名单，华为则更是为ARM架构服务器芯片打造完整的生态。华为已发布目前性能强的ARM架构服务器芯片鲲鹏920，采用该款芯片推出了泰山服务器，同时又推出了高斯数据库，从硬件到软件它正形成完整的链条，加以时日ARM架构服务器芯片在中国市场将占有一席之地。

在芯片制造方面，中芯国际在顺利推进14nmFinFET工艺之后，正在推进7nm工艺的研发，在联电、格罗方德等均明确表示停止向7nm及更先进工艺研发的情况下，中芯国际已成为一家有能力挑战台积电和三星两强的芯片制造企业，如果中芯国际在7nm工艺上取得成功它在制造工艺方面将成为仅次于台积电和三星的第三大芯片代工厂，这将有助于国内的芯片企业进一步摆脱对中国大陆以外的芯片制造企业的依赖。

存储芯片市场目前超过九成由三星、SK海力士、镁光、东芝等掌控，中国芯片企业正在努力打破这种局面。长江存储在明年大规模投产64层NAND flash，合肥长鑫预计在明年投产DRAM，按照这样的进度，到那时候中国也将打破海外存储芯片企业独霸该行业的局面。

可以说，中国在硬件方面已逐渐具备一定的实力挑战海外芯片企业，目前主要的遗憾就是软件方面。近日华为宣布将在下半年推出自主操作系统“鸿蒙”，这将有助于中国解决这一问题，当然如果它能联合国内的其他手机企业OPPO、vivo、小米等推进自主操作系统，取得成功的机会更大。