BSC123N10LS G Infineon MOSFET_深圳市斌腾达科技有限公司

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BSC123N10LS G Infineon MOSFET

型号/规格：

BSC123N10LS G

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

SuperSO8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

超大功率

年份：

18+/19+

数量：

56592

备注：

全新原装大量库存现货

询价

产品信息

亚太地区XILINX AD FREESCALR INTEL分销商欢迎来电咨询！！

亚太地区代理分销商AD、XILINX、ALTERA、INTEL等世界各IC。本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！

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联系人：朱先生

Q Q：2099320098

BSC123N10LS G 全新原装全系列优势MOS管公司大量英飞凌原装现货欢迎来电咨询！！

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。

特征描述优异的开关性能世界较低的 (R Ds(on))极低的 Qg 和 Qgd出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）符合 RoHS 标准 - 无卤素MSL1 评级 2优势环保提高效率极高的功率密度减少并联极低的板空间消耗产品易于设计潜在应用AC-DC SMPS的同步整流48V-80V 系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）隔离式 DC-DC 转换器（电讯和数据通信系统）48V系统的开关和断路器D 类音频放大器不间断电源 (UPS)ParametricsBSC123N10LS G Budgetary Price €€/1k 0.64 Ciss 3700.0 pF Coss 460.0 pF ID max

71.0 A IDpulsmax 284.0 A Operating Temperature minmax -55.0 °C 150.0 °C Ptotmax 114.0 W Package SuperSO8 Polarity N QG (typ @10V) 51.0 nC RDS (on) (@4.5V LL) max 16.6 mΩ RDS (on) (@4.5V) max 16.6 mΩ RDS (on) (@10V) max 12.3 mΩ Rth 1.1 K/W VDSmax 100.0 V VGS(th) (typ) minmax 1.85 V 1.2 V 2.4 V

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集成电路(IC)(181)

电源IC(5)

半导体存储器(2)

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