IPD053N08N3 G International Rectifier / Infineon MOSFET_深圳市斌腾达科技有限公司

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IPD053N08N3 G International Rectifier / Infineon MOSFET

IPD053N08N3 G International Rectifier / Infineon MOSFET

型号/规格：

IPD053N08N3 G

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

封装形式：

TO-252

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

大功率

年份：

18+

数量：

56592

备注：

全新原装大量库存现货

询价

产品信息

亚太地区XILINX AD FREESCALR INTEL分销商欢迎来电咨询！！

亚太地区代理分销商AD、XILINX、ALTERA、INTEL等世界各IC。本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！

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联系人：朱先生

Q Q：2099320098

IPD053N08N3 G International Rectifier / Infineon MOSFET 全新原装全系列优势英飞凌MOSFET管公司大量原装现货库存欢迎来电咨询！！OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源（例如服务器和通信）以及功耗（例如电动车）领域。特征描述优化直流-直流转换器技术出色的栅极电荷 x R DS(ON) 产品 (FOM)出色的耐热性双面冷却寄生电感低纤薄外形 (<0.7mm)N通道，正常电平100% 经过雪崩测试无铅镀层;符合 RoHSParametricsIPD053N08N3 G Budgetary Price €€/1k 0.74 Ciss 3570.0 pF Coss 963.0 pF ID max 90.0 A IDpulsmax 90.0 A Operating Temperature minmax -55.0 °C 175.0 °C Ptotmax 150.0 W Package DPAK (TO-252) Polarity N QG (typ @10V) 52.0 nC RDS (on) (@10V) max 5.3 mΩ Rth 1.0 K/W RthJCmax 1.0 K/W VDSmax 80.0 V VGS(th) (typ) minmax 2.8 V 2.0 V 3.5 V

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产品分类

集成电路(IC)(181)

电源IC(5)

半导体存储器(2)

二极管(51)

场效应管MOSFET(80)

可控硅IGBT(2)

单片机(28)

电容器(37)

电阻器(1)

传感器(17)

其他未分类(6)

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