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制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:5.8 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:1.1 VVgs - 栅极-源极电压:16 VQg-栅极电荷:98 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:136 W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 系列:IPD90N10 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:40 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:42 ns 典型接通延迟时间:8 ns 零件号别名:IPD90N10S4L-06 SP000866562 单位重量:4 g

随着智能手机的发展，半导体工艺也在不断迭代更新，从28nm、16nm，到现在的10nm、7nm，更先进的制程工艺，也带来了更快的处理速度。近期有外媒报道称，台积电的5nm制程工艺在季度已经进入风险生产阶段，预计将在明年上半年实现量产，届时我们就会看到一大批采用5nm工艺的芯片。

根据目前得到的消息来看，首款5nm工艺芯片大概率为苹果的A系列处理器，那么根据时间推算，明年秋季发布的A14芯片很有可能采用5nm工艺。此前苹果的A12仿生芯片就是首批采用7nm工艺的芯片，那么A14芯片能为新iPhone带来哪些提升，相当值得期待。

当然，目前台积电的主力产能还在7nm工艺，这也是为了满足不断增长的市场需求。台积电方面表示，得益于5G智能手机与5G基站对芯片的旺盛需求，今年下半年的芯片产量将继续增长，公司将积极扩充7nm与5nm产能，预计下半年业务将比上半年表现更好