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深圳市斌腾达科技有限公司
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IPD068N10N3 G International Rectifier / Infineon MOSFET
IPD068N10N3 G
INFINEON（英飞凌）
TO-252-3
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
超大功率
18+/19+
56592
全新原装 大量库存现货
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产品信息
亚太地区XILINX AD FREESCALR INTEL分销商 欢迎来电咨询！！
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IPD068N10N3 G International Rectifier / Infineon MOSFET 全新原装 全系列优势英飞凌MOSFET管 公司大量原装现货 欢迎来电咨询！！英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。特征描述优异的开关性能世界较低的 (R Ds(on))极低的 Qg 和 Qgd出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）符合 RoHS 标准 - 无卤素MSL1 评级 2优势环保提高效率极高的功率密度减少并联极低的板空间消耗产品易于设计潜在应用AC-DC SMPS的同步整流48V-80V 系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）隔离式 DC-DC 转换器（电讯和数据通信系统）48V系统的开关和断路器D 类音频放大器不间断电源 (UPS)ParametricsIPD068N10N3 G Budgetary Price ��/1k 0.76 Ciss 3690.0 pF Coss 646.0 pF ID max 90.0 A IDpulsmax 360.0 A Operating Temperature minmax -55.0 °C 175.0 °C Ptotmax 150.0 W Package DPAK (TO-252) Polarity N QG (typ @10V) 51.0 nC RDS (on) (@10V) max 6.8 mΩ Rth 1.0 K/W VDSmax 100.0 V VGS(th) (typ) minmax 2.7 V 2.0 V 3.5 V
MOSFET TRENCH >=100V
安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PG-TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:6.8 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:10 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:51 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:150 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:OptiMOS封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 系列:OptiMOS 3 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 值:54 S 下降时间:9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:37 ns